Селеновые выпрямительные «столбики»

На противоположных гранях пластинки, вырезанной из кристалла полупроводника, в большинстве случаев германия или кремния, создаются слои с иным видом проводимости, нежели у самой пластины. Например, если проводимость пластины электронная, то на противоположных ее торцах создаются путем добавления примесных материалов слои с дырочной проводимостью. К основанию и торцовым слоям приварены выводные проводники. Основной полупроводник или базу мы будем обозначать буквой Б, а выводы от торцовых слоев соответственно Э — (эмиттер) и К — (коллектор).

Торцовые слои образуют с базой диоды, так как между каждым из слоев и базой образуется запирающий слой. К обоим диодам приложено напряжение батарей. Полярность их присоединения выбрана так, чтобы батарея присоединена в проводящем направлении — минус к базе, а батарея Бк в непроводящем направлении — плюс к базе.

Поскольку батарея присоединена плюсом к эмиттеру, т. е. в проводящем направлении, то переход между эмиттером и базой имеет сравнительно малое сопротивление, поэтому даже небольшие изменения напряжения на эмиттере приводят к большому изменению тока в его цепи. При этом в базе будет появляться много «дырок». Процесс будет происходить так, как если бы эмиттер «впрыскивал» туда «дырки».

В цепи коллектора при его обособленном рассматривании, например при размыкании цепи эмиттера, тока не будет. К коллектору относительно базы приложено отрицательное напряжение. Это приведет к увеличению запирающего слоя. Тока в цепи совсем не будет или почти совсем не будет. Но появление в базе дырок «впрыснутых» туда эмиттером, изменит картину. Эти дырки будут притягиваться полем коллектора и направятся к нему, захватывая движущиеся навстречу электроны. В результате в цепи коллектора возникнет ток, величина которого будет определяться количеством перемещенных эмиттером дырок. Таким образом, характер тока в цепи коллектора определяется напряжением, приложенным между эмиттером и базой.