Вентильные фотоэлементы

Это напряжение образует в запирающем слое электрическое поле, препятствующее дальнейшему переходу зарядов. Если между обкладками диода включено какое-нибудь нагрузочное сопротивление, то через него будет течь ток, вследствие чего на его концах образуется разность напряжений.

Если к обкладкам диода приложено напряжение от постороннего источника тока в запирающем направлении, то большее количество зарядов сможет пройти через запирающий слой, потому что поле, созданное внешним источником напряжения, будет обратным полю, образовавшемуся в запирающем слое, которое и ограничивает переход зарядов. При этом через нагрузочное сопротивление будет течь ток большей величины, чем без внешней батареи или вообще внешнего источника напряжения. В соответствии с этим и падение напряжения на нагрузочном сопротивлении будет больше. В результате германиевые фотодиоды имеют очень высокую чувствительность, превышающую чувствительность лучших вентильных фотоэлементов раз в десять.

Максимум чувствительности германиевых фотодиодов находится в инфракрасной области спектра на волне около 0,0015 мм. Высокая чувствительность и очень небольшие размеры фотодиодов во многих случаях имеют решающее значение.

Мы знаем, что полупроводниковые материалы в отношении сопротивления электрическому току резко отличаются от проводников. Они отличаются характером изменения сопротивления при нагревании (у полупроводников сопротивление уменьшается, у проводников увеличивается) и величиной изменения (у полупроводников это изменение в десятки, сотни, а иногда и в тысячи раз больше, чем у проводников).

Эти особенности полупроводников дают возможность использовать их для чрезвычайно эффективного, простого и поэтому удобного способа измерения абсолютного значения температуры, и в особенности для измерения изменения температуры. Предназначенные для этого полупроводниковые приборы получили название терморезисторов (термосопротивлений).